Ingenieros británicos desarrollan un procesador a 110 GHz

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Los ingenieros que trabajan en la Universidad de Southampton, en el Reino Unido, aseguran haber establecido un nuevo record en lo que a velocidad de procesamiento se refiere, tras haber conseguido que un transistor bipolar alcance los 110 GHz.


La Escuela de Electrónica y Ciencias Informáticas de dicha universidad ha descubierto que, al añadir implantes de fluoro a la base de un transistor bipolar, se puede hacer que sea más fino, lo que permite que los electrones viajen más rápidamente y se alcancen frecuencias más altas.
El fluoro dispersa un fenómeno conocido como “difusión de boro”, que demanda unos microcomponentes más largos y, por tanto, más lentos. El equipo de investigación cree que existe un potencial para reducir esta difusión de boro hasta en un 50 por ciento.
“Al utilizar implantes de fluoro, el transistor puede trabajar a frecuencias más altas, lo que significa que puede ser el doble de rápido que antes”, asegura el profesor Peter Ashburn, que ha liderado el equipo de investigación. “Esto conlleva que la industria de la electrónica será capaz de alcanzar un mejor rendimiento con un mínimo coste de más”.
Los transistores bipolares se utilizan en los circuitos de estado sólido de teléfonos móviles y dispositivos inalámbricos. Este hallazgo supone que el doblar el rendimiento de estos equipos puede ser un hito no demasiado lejano.

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