Intel muestra la memoria PRAM

Intel aprovecha el marco del IDF que se celebra en Beijing, para ofrecer en una de las conferencias, una demostración sobre su tecnología PRAM (phase-change RAM) y las mejoras que puede aportar a los sistemas.

PRAM es un tipo de memoria no volátil que está siendo desarrollada por Intel y varias compañías. Con este prototipo de chips se pretende reemplazar a la memoria RAM (memoria de acceso aleatorio) y, quizás, la RAM dinámica, actualmente conocida por todos como DRAM. A diferencia de DRAM, la memoria no volátil, como la memoria flash, puede almacenar incluso cuando la alimentación del dispositivo que la lleva se encuentra apagado. Sin embargo, los chips de memoria flash escriben y leen datos mucho más despacio que la DRAM, presentan menos capacidad de almacenamiento, y por el momento, son mucho más caros.
Según Intel y las compañías implicadas en el proyecto, la memoria PRAM reemplazará ambas memorias flash, tanto la NOR como la NAND, y para generar mayor demanda será necesario producir los chips en grandes volúmenes, con el fin de reducir su coste actual.
PRAM está basado en cristales de anfígeno, el cual puede ser alterado utilizando el calor generado mediante impulsos eléctricos. Dicho calor cambia la estructura física de los cristales a un estado cristalino amorfo. Dado que cada uno de estos estados presenta una resistencia eléctrica diferente, ésta es utilizada para representar los unos y ceros necesarios con el fin de poder interpretar los datos almacenados en términos binarios.
PRAM parece ofrecer una velocidad de lectura y escritura superior a la memoria flash, así como el hecho de ser más duradera, atrapando electrones en células de memoria. Con el paso del tiempo, los electrones inevitablemente llegan a ser atrapados en estas células y no puedan más que ser removidos,
A diferencia de la memoria flash, PRAM no elimina datos antes de escribir nuevos, con lo que los reescribe sin eliminar los datos existentes. Sólo por la puesta en práctica de este factor logra incrementar la velocidad de escritura unas treinta veces por encima de la presentada por la memoria flash NOR. También se mejora la vida útil de la misma, ya que PRAM puede durar hasta diez veces más que cualquier otro tipo de memoria actual.
Hasta ahora tan sólo se trabaja con prototipos. La llegada de los primeros productos PRAM al mercado se prevé a lo largo del próximo año. En principio, este tipo de memoria estará destinada para teléfonos móviles, PDA y otros dispositivos portátiles donde se requiere gran velocidad y fiabilidad, aunque no se descarta que acabe formando parte de los ordenadores portátiles y discos duros híbridos.
Fuente: PCWorld