IBM e Harvard: os transmisores poden ser máis rápidos

Lendo barrapunto.com:
“Non sei se é coincidencia ou non, pero hoxe atópome con dúas novas sobre transistores. Por un lado, lendo Wired, entérome que os científicos de IBM están a facer probas con transistores feitos de silicio e xermanio capaces de chegar a 300GHz a temperatura ambiente (e a 500 GHz cando se enfrían ata preto do 0 absoluto). Segundo estos científicos estos avances darán lugar a procesadores moitísimo máis veloces que os actuais, aínda que recoñecen que non estarán preto destas velocidades. Por outro lado, segundo Techreview.com e atraveso de slashdot, investigadores en Harvard demostraron que se poden facer transistores con nanocables que poden chegar a ser ata 4 veces máis rápidos que os actuais de silicio. Poderían integrarse en plásticos, facendo posibles aparatos tales como pantallas flexibles que procesen a información na propia pantalla.”…

Fonte: barrapunto.com