Samsung muestra la memoria DDR3, el doble de rápida que la DDR2 DRAM

Samsung Electronics ha anunciado un prototipo de memoria DDR3, capaz de procesar datos a 1.066 megabits por segundo

La nueva memoria DDR3 de 512 megabits es capaz de procesar datos a una velocidad de 1.066 megabites por segundo, este volumen de transmisión duplica la capacidad de la memoria DDR2 DRAM.
Según fuentes de Samsung, DDR3 será la referencia para la venidera generación de memorias ultra rápidas y reducido consumo.
El prototipo DDR3 mostrada por Samsung funciona a 1,5 voltios, haciéndolo con un menor consumo de las baterías de los equipos.
Se trata de un prototipo, por lo que Samsung no comenzará a producir masivamente esta nueva memoria hasta una vez entrado el 2006.
La prestigiosa consultora IDC estima que las primeras memorias de DDR3 vendidas en el 2006 irán ganando penetración hasta copar el 65% del mercado global de DRAMS antes de 2009.